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STRUCTURE, ETATS ELECTRONIQUES ET PROPRIETES ELECTROPHYSIQUE DE LA SURFACE DE L'ARSENIURE DE GALLIUMDMITRUK NL.1980; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., FIZ.; SUN; DA. 1980; VOL. 23; NO 1; PP. 38-51; BIBL. 103 REF.Article

PARTICULARITES DES PROCESSUS PHYSIQUES DANS LES SYSTEMES A COUCHES DE LA MICROELECTRONIQUE A BASE DE COMPOSES A₃B₅ (ARTICLE DE SYNTHESE)DMITRUK NL.1980; POLUPROVODN. TEKH. MIKROELEKTRON.; UKR; DA. 1980; NO 31; PP. 3-18; BIBL. 31 REF.Article

METHODES DE CONTROLE DU PROFIL DU DOPAGE DES COUCHES SEMI-CONDUCTRICESDMITRUK NL.1975; POLUPROVODU. TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 21; PP. 84-102; BIBL. 3 P.Article

ETUDE DES POLARITONS SUPERFICIELS DE PLASMONS-PHONONS DANS LES STRUCTURES LAMELLAIRES D'ARSENIURE DE GALLIUMGORBUNOVA TN; DMITRUK NL.1980; UKR. FIZ. Z. (KIEV, 1967); ISSN 0503-1265; UKR; DA. 1980; VOL. 25; NO 3; PP. 490-496; ABS. ENG; BIBL. 11 REF.Article

PHOTOSENSITIVITY LOSSES IN IDEAL AND REAL SCHOTTKY BARRIERSDMITRUK NL; BORKOVSKAYA OY.1979; PHYS. STATUS SOLIDI, A; DDR; DA. 1979; VOL. 54; NO 2; PP. 523-527; ABS. RUS; BIBL. 10 REF.Article

POLARITONS DE PHONONS DANS LES CRISTAUX LAMELLAIRES DE SB₂S₃GORBUNOVA TN; DMITRUK NL.1978; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 23; NO 5; PP. 788-791; ABS. ANGL.; BIBL. 8 REF.Article

ETUDE DES POLARITONS PHONONIQUES SUPERFICIELS DANS LES COMPOSES MIXTES GA_1-XAL_XASGORBUNOVA TN; DMITRUK NL.1977; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1977; VOL. 19; NO 8; PP. 1277-1281; BIBL. 12 REF.Article

PHOTOCOURANT D'UNE DIODE DE SCHOTTKY DANS LA REGION D'ABSORPTION INTRINSEQUEDMITRUK NL; BORKOVSKAYA O YU.1979; MIKROELEKTRONIKA; SUN; DA. 1979; VOL. 8; NO 1; PP. 64-70; BIBL. 15 REF.Article

PERTES DE PHOTOCOURANT PAR RECOMBINAISON AUX BARRIERES DE SCHOTTKYDMITRUK NL; BORKOVSKAYA O YU.1979; UKR. FIZ. Z. (KIEV, 1967); ISSN 0503-1265; UKR; DA. 1979; VOL. 24; NO 9; PP. 1343-1351; ABS. ENG; BIBL. 15 REF.Article

QUELQUES PARTICULARITES DE L'EFFET DE CHAMP DANS LES COUCHES EPITAXIQUES D'ARSENIURE DE GALLIUMDMITRUK NL; KYASHENKO VI; MAEVA OI et al.1974; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 19; NO 8; PP. 1375-1380; ABS. ANGL.; BIBL. 10 REF.Article

POLARITONS SUPERFICIELS DANS L'ARSENIURE DE GALLIUM APRES IMPLANTATION IONIQUEDMITRUK NL; LITOVCHENKO VG; NIKOLAEVA TN et al.1981; FIZ. TVERD. TELA; ISSN 0367-3294; SUN; DA. 1981; VOL. 23; NO 9; PP. 2630-2633; BIBL. 17 REF.Article

ETUDE DES ETATS ELECTRONIQUES DE SURFACE PHOTOACTIFS DE L'ARSENIURE DE GALLIUM PAR LA METHODE DE SPECTROSCOPIE INFRAROUGEDMITRUK NL; LITOVCHENKO VG; MAEVA OI et al.1980; FIZ. TEH. POLUPROVODN.; ISSN 0015-3222; SUN; DA. 1980; VOL. 14; NO 8; PP. 1555-1563; BIBL. 17 REF.Article

PARTICULARITES DE LA VARIATION THERMIQUE DE LA HAUTEUR D'UNE BARRIERE DE POTENTIEL DANS LES SEMICONDUCTEURSDMITRUK NL; LITOVCHENKO VG; MAEVA OI et al.1978; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 23; NO 6; PP. 907-911; ABS. ANGL.; BIBL. 10 REF.Article

DEPLACEMENT DES PLASMONS BIDIMENSIONNELS ET SUPERFICIELS DANS LES SYSTEMES FEUILLETESDMITRUK NL; LITOVCHENKO VG; GORBUNOVA TN et al.1979; UKR. FIZ. Z. (KIEV, 1967); UKR; DA. 1979; VOL. 24; NO 10; PP. 1516-1520; ABS. ENG; BIBL. 11 REF.Article

RAYONNEMENT DE RECOMBINAISON DU AUX IMPURETES DANS GAAS POUR UNE EXCITATION FORTEMENT ABSORBEEPEKA GP; DMITRUK NL; SHEPEL LG et al.1972; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1972; VOL. 14; NO 11; PP. 3391-3396; BIBL. 5 REF.Serial Issue

DISPERSION ET AMORTISSEMENT DE POLARITONS PHONONIQUES SUPERFICIELS DANS LES MONOCRISTAUX DE INPGORBUNOVA TN; DMITRUK NL; LITOVCHENKO VG et al.1979; FIZ. TVERD. TELA; ISSN 0367-3294; SUN; DA. 1979; VOL. 21; NO 11; PP. 3423-3427; BIBL. 20 REF.Article

THE EFFECT OF THE SURFACE SPACE CHARGE REGION ON THE CATHODOLUMINESCENCE OF SEMICONDUCTORS.DMITRUK NL; LITOVCHENKO VG; TALAT GH et al.1978; SURF. SCI.; NETHERL.; DA. 1978; VOL. 72; NO 2; PP. 321-341; BIBL. 28 REF.Article

EFFET DE CHAMP DANS GAAS POUR UN BALAYAGE DE TENSION LINEAIREDMITRUK NL; LYASHENKO VI; MAEVA OI et al.1974; UKRAIN. FIZ. ZH.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 19; NO 11; PP. 1794-1797; ABS. ANGL.; BIBL. 13 REF.Article

INFLUENCE DE LA STRUCTURE METALLIQUE EN ILOTS A LA SURFACE DU SEMICONDUCTEUR SUR L'EFFET DE MEMOIRE PHOTOELECTRIQUEDMITRUK NL; MAEVA OI; POLUDIN VI et al.1976; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1976; VOL. 10; NO 10; PP. 1925-1932; BIBL. 17 REF.Article

DETERMINATION DES PROPRIETES LOCALES DES COUCHES DIELECTRIQUES SUR LA SURFACE DES SEMICONDUCTEURS (GAAS-SIO₂)ANTONYUK VN; DMITRUK NL; LYASHENKO VI et al.1977; POLUPROVODN., TEKH. MIKROELEKTRON., U.S.S.R.; S.S.S.R.; DA. 1977; NO 25; PP. 73-80; BIBL. 17 REF.Article

MODELE DE L'EFFET DE REDRESSEMENT OPTIQUE "GELE" DES BANDESDMITRUK NL; LYASHENKO VI; BORKOVSKAYA O YU et al.1975; FIZ. TEKH. POLUPROVODN.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 9; NO 12; PP. 2261-2265; BIBL. 16 REF.Article

ELECTRICAL AND RECOMBINATION CHARACTERISTICS OF GE-GAAS AND SI_XGE_1-X-GAAS HETEROJUNCTIONSBORKOVSKAYA OY; DMITRUK NL; KONAKOVA RV et al.1980; PHYS. STATUS SOLIDI (A), APPL. RES.; ISSN 0031-8965; DDR; DA. 1980; VOL. 59; NO 1; PP. 395-400; ABS. RUS; BIBL. 11 REF.Article

CATHODOLUMINESCENCE EXCITONIQUE DES SEMICONDUCTEURS FAISANT INTERVENIR LA BARRIERE DE POTENTIEL AU VOISINAGE DE LA SURFACEDMITRUK NL; LEONOV VM; LITOVCHENKO VG et al.1978; FIZ. TVERD. TELA; S.S.S.R.; DA. 1978; VOL. 20; NO 2; PP. 518-527; BIBL. 32 REF.Article

INVESTIGATION OF RADIATION DEFECTS IN GAAS BY MEANS OF SCHOTTKY DIODE CHARACTERISTICSBORKOVSKAYA OY; DMITRUK NL; KONAKOVA RV et al.1978; PHYS. STATUS SOLIDI, A; DDR; DA. 1978; VOL. 48; NO 1; PP. K55-K58; BIBL. 7 REF.Article